四月份，智云集团总部里，徐申学和一群集团高层正在开会，而这一次开会的内容并不寻常。
他们商讨的是下一步战略基础设施的投资。
不是寻常的基础设施投资，而是战略基础设施，更准确地说是量子芯片工厂及半导体工厂的设施。
至于说数据中心设施以及供电设施虽然投资规模也大，但是依旧属于常规设施。
算力设施里的YANC系统算力中心的建设其实没什么值得说的，有钱了直接多多部署就完事了。
而主要部署在海外地区的第二代量子算力中心那就更简单了，花钱就完事了。
还有传统的数据中心，比如超算、数据存储中心等就更不用说了。
上述这几种数据中心看似投资规模大，技术含量也高，但是重点在于研发，只要研发出来，那么后续建设本身并不存在多大的问题，花钱就完事了。
供电设施也差不多，建设光伏发电中心以及相应的储能设施，不存在什么技术难点，甚至都不需要智云集团搞什么技术研发，国内一大堆光伏企业能够提供先进的光伏板以及配套的发电系统，储能系统也有海蓝电池、宁代电池等企业提供成套的技术方案。
就算是核聚变发电设施，也不需要智云集团自己多做什么，星海能源科技那边提供成套的技术方案，可以直接提供一整套的核聚变发电机组，国内的顶级电源设备企业也能够提供成套的变电、配电、输电等方案。
在供电设施领域里，智云集团要做的只有一件事：投钱！
算力设施、超算、传统数据中心、供电设施等尽管都很重要，但这只是钱多钱少的问题，它本身并不涉及到众多尖端技术的研发，也起不到决定性的技术影响力。
因为它们本身是一系列尖端技术突破后的技术应用项目——它们是成品！
所以尽管很重要，但是对于智云集团和徐氏财团而言，谈不上“战略”二字。
真正能够套上战略这两个字的基础设施建设，对于徐氏财团而言只有三种：量子芯片工厂、各类半导体工厂、部分先进原材料工厂。
部分先进原材料工厂这个比较分散，单体项目投资也不算大，所以一般不会专门拿出来说，基本上有需要就直接投了。
而量子芯片工厂和顶级半导体工厂，比较单一且集中，同时投资规模也巨大，单个工厂的投资动不动就是数百亿美元之巨。
单纯的投资规模大还不算，这些技术最前沿的先进工厂，往往还需要汇集大量的力量进行技术攻关。
如目前智云集团正在推进研发的‘超临界逻辑芯片工艺’，项目代号为A10，其最为重要的核心技术指标很简单：金属间隔要达到小于十四纳米！
这个性能指标远远超过当下智云集团旗下的各种工艺标准，甚至远远超出了当下HEUV-800C型光刻机的单次曝光性能极限。
这就很麻烦了，使用HEUV-800C光刻机，那么就会导致成本大幅度上涨，单次曝光不行就要多重曝光，成本就会瞬间暴涨起来。
最好的办法就是研发出更先进的设备，比如数值孔径达到零点七以上的EUV光刻机，通过单次曝光一次性完成，这样才能有效控制芯片制造成本。
但是更先进的光刻机也不是那么容易搞的，技术难度很大，现在海湾科技那边还处于原型机研发阶段，距离量产还有一段的距离。
所以前期的A10工艺节点的研发，其实是先用HEUV-800C光刻机凑合着用。
HEUV-800C光刻机的单次曝光性能，理论上可以让芯片里的晶体管金属间隔达到十六纳米，使用双重曝光的情况下，其实也能满足A10工艺的技术要求——注意，这说的十六纳米的金属间隔只是理论数据，实际上受限于各种现实因素影响，只能不断的逼近它，而无法达到它。
而HEUV-800C光刻机，是徐氏财团旗下海湾科技所属，目前技术标准最先进的量产型光刻机，目前出货量并不大，只有智云微电子一家采购，并不是说海湾科技不卖给其他公司，而是其他公司买不起，甚至都用不起——隔壁的中芯连N2工艺节点的计划暂时都没有呢，要这种单台四亿美元的昂贵设备做什么啊！
N3工艺用个HEUV-300D型号光刻机也就差不多了，如果是N5-N7工艺，甚至连HEUV-300D都不用，用HEUV-300C光刻机都行！
海湾科技里的HEUV-300系列，也就是低数值孔径EUV光刻机系列，专注用于N3-N7工艺节点。
不管是哪一种型号，受限于数值孔径影响，其理论性能极限，也只能做到金属间隔单次曝光二十六纳米，满足N5或N7工艺节点的需求。
如果采用双重曝光的方式，金属间隔最低可以做到21纳米，可以满足N3工艺节点的需求。
如果更加落后的成熟工艺，连EUV光刻机都不用，用浸润式光刻机甚至KRF光刻机都行。
在光刻机领域里，海湾科技旗下的各类光刻机是非常齐全的。
KRF光刻机，主要用于90纳米以上的各类老旧工艺的芯片生产——对了，还有一个更落后，主打180纳米工艺以上或其他制造领域的I线光刻机。
其中的KRF光刻机每年出货量其实还挺大的，出货量能达到三百多台呢。
这两种看似技术比较低的光刻机，用途也不仅仅是逻辑芯片以及存储芯片领域，还广泛应用于其他各类先进制造行业——很多先进制造业，其实也需要用到光刻机的，只不过没有逻辑芯片的要求那么变态而已。
DUV干式光刻机，主要用于55纳米-90纳米的成熟芯片生产，这个光刻机出货量比较低，主要是这个工艺阶段的性能比较尴尬，国内也较少有厂商投资这个工艺节点。
更成熟的工艺直接用KRF光刻机去了，而要稍微好点的工艺直接用DUV浸润式光刻机去了。
国内的半导体制造厂商现在就算是投资成熟工艺，也以投资22纳米和28纳米这两个工艺节点为主，采用便宜的成熟DUV浸润式光刻机单次曝光就行了。
晶圆厂建设成本不贵，制造芯片的成本也便宜，然后芯片价格也便宜，22-28纳米工艺节点的大量芯片已经广泛应用在各行各业。
HDUV-600系列的DUV浸润光刻机，这一类光刻机是海湾科技的主力出货产品之一，去年出货三百二十五台，销量极大，国内厂商的采购热情极高。
这系列光刻机主要用于10-22纳米工艺节点，或同技术级别的存储芯片制造——它其实也能用来制造七纳米工艺的芯片，但是四重曝光的成本太高了，划不来，还不如直接用EUV光刻机单次曝光来得简单省事。
所以除了早期的智云微电子以及台积电外，后来就没有厂商这么干过的。
DUV浸润式光刻机的出货量大，还有另外一个原因，那就是在N7以下的先进工艺里，可以充当辅助光刻机使用——智云微电子的每一座N7-N1.5工艺的晶圆厂里，其实都能找到DUV浸润式光刻机的身影。
成熟的光刻机一方面可以用于各类成熟芯片生产，另外一方面也可以作为辅助光刻机，用以先进芯片的次要工序生产。
比如当下比较主流、各大厂商都在积极布局的N3工艺节点，其芯片光刻环节需要经过多层光刻，但并不是每一层光刻都是由顶级的EUV光刻机完成，其相当多的光刻层数是由DUV光刻完成的
实际上只有少数最关键的曝光环节是由EUV光刻机负责曝光，其他次一等的光刻机工序则是由DUV浸润式甚至KRF光刻机负责——这是为了节省成本。